公司现在研发的半导体设备，就是第三代光刻机。

在这里，有必要介绍一下光刻机的发展历程。

首先是光刻机的代际划分，其实是按光源算的，波长越短越先进。第一二光刻机分别是接触、接近式光刻机，光源是不同类型的汞灯，但一个产品不良率高,一个要用到介质容易影响成像，都不太理想。

直到第三代，光源改成了氟化氪准分子激光，工作方式变成了扫描投影光刻，从名字也能看出差别。一旦完成研发，制程最低将缩小到一百八十纳米水平。

而第四代光源则是氟化氩准分子激光，工作方式是步进扫描投影光刻跟浸没式步进扫描，前者制程最低达到65纳米,后者达到22纳米。

而第五代，就是后来熟知的极紫外光刻机，也就是三十年后卡脖子的那款。

目前，尼康、佳能以及ASML已经推出了第三代光刻机，第四代研发中。

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